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J-GLOBAL ID：201702276237082204   整理番号：17A0579310

GaN/InGaNコア-シェル構造内におけるm-面量子井戸形態の発生と組成

Evolution of the m-Plane Quantum Well Morphology and Composition within a GaN/InGaN Core-Shell Structure

著者 (11件)： COULON Pierre-Marie (Univ. Bath, Bath, GBR) ,  VAJARGAH Shahrzad Hosseini (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  BAO An (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  EDWARDS Paul R. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  LE BOULBAR Emmanuel D. (Univ. Bath, Bath, GBR) ,  GIRGEL Ionut (Univ. Bath, Bath, GBR) ,  MARTIN Robert W. (Univ. Strathclyde, Glasgow, GBR) ,  HUMPHREYS Colin J. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  OLIVER Rachel A. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  ALLSOPP Duncan W. E. (Univ. Bath, Bath, GBR) ,  SHIELDS Philip A. (Univ. Bath, Bath, GBR)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 17  号： 2  ページ： 474-482  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN/InGaNコア-シェルナノロッド(NR)は側壁に分極に関連する電場が存在しないことなどから有望なオプトエレクトロニクス材料として期待されている。しかし,その発光ダイオード効率を改善するためのより厚いInGaNシェル層の成長に関する理解は不十分である。本研究では,InGaN層の厚さの増加に伴うナノスケールでの揺らぎの発生とそれに関係した局所的In含有量変化を伴うナノスケール形態の変化に重点をおいて調べた。その結果,ファセットされたNR側壁におけるm-面ミスカットと関連する原子層ステップがIn含有量の大きな揺らぎとナノメータの長さスケールでのシュードモルフィックInGaN薄膜の形態を誘起することが分かった。これらの結果は,コア-シェル構造における多成分合金シュードモルフィックエピタキシャル層の成長及びそれらのオプトエレクトロニクスへの応用に関するより広い意義を与えるであろう。

シソーラス用語： *コアシェル構造 ,  *ナノロッド ,  *オプトエレクトロニクス ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  エピタクシー ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： シュードモルフィック成長

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  InGaN ,  コア-シェル構造 ,  量子井戸 ,  形態 ,  組成