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J-GLOBAL ID：201702278516252179   整理番号：17A0376565

金電極改質によるn型OTFT電気的安定性の改善【Powered by NICT】

Improvement of n-type OTFT electrical stability by gold electrode modification

著者 (5件)： Robin Malo (Universite Rennes 1, Institut d’Electronique et des Telecommunications de Rennes, UMR CNRS 6164, Departement Microelectronique & Microcapteurs, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, France) ,  Robin Malo (Universite de Rennes 1, UMR “Institut des Science Chimiques de Rennes”, UR1-CNRS 6226, Campus de Beaulieu, CS 74205, 35042 Rennes Cedex, France) ,  Harnois Maxime (Universite Rennes 1, Institut d’Electronique et des Telecommunications de Rennes, UMR CNRS 6164, Departement Microelectronique & Microcapteurs, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, France) ,  Molard Yann (Universite de Rennes 1, UMR “Institut des Science Chimiques de Rennes”, UR1-CNRS 6226, Campus de Beaulieu, CS 74205, 35042 Rennes Cedex, France) ,  Jacques Emmanuel (Universite Rennes 1, Institut d’Electronique et des Telecommunications de Rennes, UMR CNRS 6164, Departement Microelectronique & Microcapteurs, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes Cedex, France)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 39  ページ： 214-221  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修飾金電極を含むN型有機薄膜トランジスタ(OTFT)は,トランジスタ特性に及ぼす自己集合単分子層の影響を調べるために作製した。C_60トランジスタの性能,電気的パラメータの均一性と電気的安定性に及ぼすチオール誘導体によるドレイン/ソース修飾の効果について報告した。文献では,電気的不安定性は,有機半導体(OSC),OSC絶縁体界面と絶縁体に起因した。OSC金属界面はボトムゲート/ボトムコンタクト構造の操作安定性を劇的に影響することを見出した。これらの効果は,自己集合単分子層によって誘起された界面金属OSCでの形態学的変化に帰着した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  モルフォロジー ,  チオール ,  界面 ,  トランジスタ ,  不安定性 ,  有機半導体 ,  *金電極 ,  絶縁体
準シソーラス用語： ボトムコンタクト ,  ボトムゲート ,  自己集合単分子膜 ,  *有機薄膜トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： n型有機薄膜トランジスタ ,  フラーレン ,  自己集合単分子層(SAM) ,  C_60の形態 ,  電気安定性 ,  連続偏極

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金電極 ,  改質 ,  OTFT ,  電気的安定性