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J-GLOBAL ID：201702278896807754   整理番号：17A0214344

光センシングへのFDSOI N-及びPFETの機能性の拡張【Powered by NICT】

Extending the functionality of FDSOI N- and P-FETs to light sensing

著者 (11件)： Kadura L. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Grenouillet L. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Bedecarrats T. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Rozeau O. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Rambal N. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Scheiblin P. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Tabone C. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Blachier D. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Faynot O. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Chelnokov A. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France) ,  Vinet M. (CEA, LETI, Minatec Campus, and Univ. Grenoble Alpes, 38054 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 32.6.1-32.6.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 埋め込み酸化物(BOX)以下で実現ダイオード.FDSOIトランジスタは可視光に非常に敏感になることを示した。ダイオード中の光生成キャリアは容量結合による両NFET&PFETトランジスタにおける光誘起Vtシフト(LIVS)を作成し,フォトダイオードとセンシングトランジスタ間の直接電気接続はなかった。光学バックバイアス効果は,両トランジスタとダイオードの技術的パラメータの関数として注意深く調べた。実験結果は,TCADシミュレーションによって支持された,提案したFDSOI/フォトダイオード共積分スキームは,効率的な光検出器に用いることができることを示唆している。も過渡効果を研究し,効率的なリセット機構を提案した。最後に著者らは,SRAMセルは光照射によって制御可能であることを初めて示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 可視光 ,  光照射 ,  積分 ,  光生成 ,  フォトダイオード ,  *ダイオード ,  光検出器 ,  キャリア ,  トランジスタ ,  SRAM
準シソーラス用語： TCAD ,  光誘起 ,  容量結合 ,  *機能性 ,  *光センシング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光センシング ,  FDSOI ,  拡張