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J-GLOBAL ID：201702279062836853   整理番号：17A0244707

正孔注入障壁の減少に対する分子配向の影響 銅フタロシアニン(CuPc)/ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(HAT-CN)/グラフェン

Impacts of Molecular Orientation on the Hole Injection Barrier Reduction: CuPc/HAT-CN/Graphene

著者 (5件)： JEONG Junkyeong (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Soohyung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Seong Jun (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  LEE Hyunbok (Kangwon National Univ., Gangwon-do, KOR) ,  YI Yeonjin (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 4  ページ： 2292-2298  発行年： 2016年02月04日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは透明な電極として有望視されているが,グラフェン自身はアノードあるいはカソード電極としての十分な仕事関数をもっていない。そのため,グラフェンを電極として使用するためには電荷注入層が必要である。本研究では,銅フタロシアニン(CuPc)/グラフェン界面及びその間にヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(HAT-CN)を挿入したCuPc/HAT-CN/グラフェン界面を作製し,正孔注入障壁(HIB)の減少に対する分子配向の影響について調べた。CuPcとグラフェンの間に挿入されたHAT-CN層は元の平坦なグラフェン表面を粗くし,CuPcとグラフェンのπ-π相互作用を弱め,これがCuPcの配向(対面型,エッジオン型,それらの混合型)変化を誘起することが分かった。一方,CuPc/グラフェン界面でのCuPc配向はほとんどが対面型であった。エッジオン型CuPc配向による低いイオン化電位(0.37eV)とHAT-CN層の高い仕事関数(0.26eV)によりHIBは減少することを示した。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電極材料 ,  *キャリア注入 ,  仕事関数 ,  *分子配向 ,  イオン化ポテンシャル
準シソーラス用語： *正孔注入

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

物質索引 (2件)： 銅フタロシアニン ,  HAT-CN

タイトルに関連する用語 (7件)： 正孔注入 ,  障壁 ,  分子配向 ,  銅フタロシアニン ,  CuPc ,  Cn ,  グラフェン