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J-GLOBAL ID:201702280017262411   整理番号:17A0233360

透明アモルファス酸化スズにおける孤立電子対の安定化:p型伝導経路への潜在的ルート

Lone-Pair Stabilization in Transparent Amorphous Tin Oxides: A Potential Route to p-Type Conduction Pathways
著者 (21件):
資料名:
巻: 28  号: 13  ページ: 4706-4713  発行年: 2016年07月12日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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透明酸化物のp型半導体材料として,透明アモルファス酸化スズに着目した。P型伝導を効果的に実現するには,孤立電子対の安定化が重要であった。これを調べるために,酸化スズの半導体薄膜での電子および原子構造について検討した。X線分光法および原子論的計算法を利用した。電子バンドギャップ,価電子帯の吸収端,孤立電子対のハイブリダイゼーションなどの特性を解析した。構造的な障害により,積層孤立状態が破壊されてアモルファス化が起こるが,透明性および価電子帯特性が変化しないことが分かった。原子クラスタリングにより孤立電子対が安定化し,バンドギャップが大きく広がることで,透明性が維持された。特定の化学量論下では,孤立電子対のクラスタに沿って連続的な正孔伝導の経路が実現することが分かった。孤立電子対の安定化による潜在的なp型伝導経路を示した。
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  非晶質の電子構造一般 

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