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J-GLOBAL ID：201702280202462836   整理番号：17A0364545

ナノ構造酸化ニッケル ヘマタイトp n接合光アノードの優れた光電気化学性能のための赤鉄鉱の陰極電着時のその場Niドーピング【Powered by NICT】

In situ Ni-doping during cathodic electrodeposition of hematite for excellent photoelectrochemical performance of nanostructured nickel oxide-hematite p-n junction photoanode

著者 (8件)： Phuan Yi Wen (School of Engineering, Chemical Engineering Discipline, Monash University Malaysia, Jalan Lagoon Selatan, Bandar Sunway, Selangor DE 47500, Malaysia) ,  Ibrahim Elyas (School of Engineering, Chemical Engineering Discipline, Monash University Malaysia, Jalan Lagoon Selatan, Bandar Sunway, Selangor DE 47500, Malaysia) ,  Chong Meng Nan (School of Engineering, Chemical Engineering Discipline, Monash University Malaysia, Jalan Lagoon Selatan, Bandar Sunway, Selangor DE 47500, Malaysia) ,  Chong Meng Nan (Sustainable Water Alliance, Advanced Engineering Platform, Monash University Malaysia, Jalan Lagoon Selatan, Bandar Sunway, Selangor DE 47500, Malaysia) ,  Zhu Tao (School of Engineering, Chemical Engineering Discipline, Monash University Malaysia, Jalan Lagoon Selatan, Bandar Sunway, Selangor DE 47500, Malaysia) ,  Lee Byeong-Kyu (Department of Civil and Environmental Engineering, University of Ulsan, Nam-gu, Daehakro 93, Ulsan 680-749, Republic of Korea) ,  Ocon Joey D. (Laboratory of Electrochemical Engineering (LEE), Department of Chemical Engineering, University of the Philippines Diliman, Quezon City 1101, Philippines) ,  Chan Eng Seng (School of Engineering, Chemical Engineering Discipline, Monash University Malaysia, Jalan Lagoon Selatan, Bandar Sunway, Selangor DE 47500, Malaysia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 392  ページ： 144-152  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤鉄鉱の陰極電着中のニッケル(Ni)のin situドーピングから合成したナノ構造酸化ニッケル ヘマタイト(NiO/αFe_2O_3)p-n接合光アノードを成功裏に実証した。仮定モデルが関与するNi~2+イオンの基本的な機構,および潜在的光電気化学的水の酸化過程を高めることを赤鉄鉱の表面下領域上のNiOの最終的な形成を説明するために提案した。本研究により,Niをドープしたヘマタイト光アノードの測定した光電流密度を用いてNiドーパントの濃度に強く依存することが分かった。25m%で最適Niドーパントは,裸のヘマタイト光アノードと比較して7倍増強の優れた光電気化学性能を示した。これはp-n接合を通る増大した電子ドナー密度に起因し,このようにして最適なNiドーパント濃度で水の酸化活性のためのエネルギー障壁を低下させた。同時に,赤鉄鉱のその場Niドーピングはまた電気化学インピーダンス分光法を用いて測定した光生成電荷キャリア移動抵抗を低下している。はこの研究で得られた基本的な理解は,光電気化学プロセスへの応用のための高効率光アノードの合理的な設計・施工に有用であることが期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *酸化ニッケル ,  *電着 ,  電流密度 ,  *赤鉄鉱 ,  *ニッケル ,  ドーパント ,  *ナノ構造 ,  *PN接合 ,  *光電気化学 ,  電荷キャリア ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  電子供与体 ,  *光アノード
準シソーラス用語： 高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 電着 ,  赤鉄鉱 ,  光電気化学 ,  p-n接合 ,  太陽エネルギー変換 ,  水分裂

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： ナノ構造 ,  酸化ニッケル ,  ヘマタイト ,  光アノード ,  光電気化学 ,  赤鉄鉱 ,  陰極 ,  電着 ,  Ni ,  ドーピング