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J-GLOBAL ID：201702280215670337   整理番号：17A0296396

高性能シリコンベースMEMS熱電スタックのレーザパワー試験法に基づく方法を提案した。【JST・京大機械翻訳】

Laser Power Measurement Method Based on High Performance Black Silicon MEMS Thermopile Power Meter

著者 (3件)： Li Jingnan (School of Instrument and Electronics,North University of China, National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology) ,  Bao Aida (School of Instrument and Electronics,North University of China, National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology) ,  Qin Li (School of Instrument and Electronics,North University of China, National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology)
資料名： Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan  (Jiguang Yu Dianzixue Jinzhan)
巻： 53  号： 11  ページ： 112501-1-112501-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2698A  ISSN： 1006-4125  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 従来のレーザパワーメータの体積が大きく,応答速度が遅く,検出精度が保証されないという欠点を克服するために,高性能シリコンベースのMEMS熱電スタックに基づくレーザパワー試験法を提案した。この方法はレーザの熱効果を利用し、CO_2レーザーを被測定光源とし、黒シリコンMEMS熱電検出器をレーザー検出センサーとする。エネルギー変換原理によると,熱電吸収器のレーザ放射のエネルギーは熱力学的エネルギーに変換され,熱力学は電圧の形でCMOSインタフェイス回路を入力できる。TOPVIEW2000の汎用仮想機器を用いてデータを収集し,処理し,レーザ出力に関するデータを得た。室温の条件下で,異なる加熱速度と異なる時間のCO_2レーザ照射下でのMEMS熱電検出器システムの繰返し実験を行った。結果は,レーザ出力が30%,パルス幅が150MSのとき,システムの熱応答時間は14.92MSであり,レーザ出力は23.01Wであり,相対誤差は0.55%であることを示した。それは,実際の応用におけるレーザパワーの高精度,低コスト,低消費電力,低消費電力などの要求を満たした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： レーザビーム ,  *レーザ ,  熱応答 ,  レーザ照射 ,  熱影響 ,  エネルギー変換 ,  熱力学 ,  *MEMS ,  パルス幅 ,  *レーザ出力 ,  加熱速度
準シソーラス用語： 低電力化 ,  高精度 ,  インタフェイス回路 ,  応答速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： optoelectronics ,  photoelectric detection ,  laser power measurement ,  CMOS interface circuit ,  black

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  レーザ一般  (BD04030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  シリコン ,  MEMS ,  スタック ,  レーザパワー ,  試験法 ,  提案