文献

J-GLOBAL ID：201702280336736672   整理番号：17A0738594

低温におけるNi/6H-SiC界面の反応

Interfacial Reactions in Ni/6H-SiC at Low Temperatures

著者 (9件)： LIM Suhee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  OH Jin-Soo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KWON Yena (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  AN Byeong-Seon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  BAE Jee-Hwan (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Tae-Hoon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Min-Ho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Hyoung-Sub (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YANG Cheol-Woong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 10  ページ： 10853-10857  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比較的低温(<550°C)におけるNi膜と6H-SiC基板の間の反応とケイ化物形成時の炭素の拡散挙動を調べた。相変態と化学成分の分布を透過型電子顕微鏡(TEM)により調べた。450°CではNiからNi-ケイ化物への変態は起きなかった。しかし,SiCが分解し,Ni層へのSi拡散によりNi(Si)固溶体が形成され,グラファイト状の層がNi膜と6H-SiC基板の界面に形成された。550°Cで焼なますと,NiとSiCの間で界面反応が生じた。これらの結果は初期にNi₃SiとNi₃₁Si₁₂が形成され,その後Ni₂Siが形成されることを示した。Ni₂Siが形成された後は,ケイ化物の相転移は現れなかった。

シソーラス用語： ニッケル ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  金属薄膜 ,  不均一系反応 ,  電子顕微鏡観察 ,  固溶体 ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  焼なまし ,  相転移 ,  *相変態 ,  固体内拡散 ,  微細構造
準シソーラス用語： *6H-SiC ,  *ケイ化ニッケル ,  界面反応 ,  炭素拡散

分類 (1件)： 固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  Ni ,  6H-SiC ,  界面