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J-GLOBAL ID：201702280502914511   整理番号：17A0116330

PWMコンバータのためのアクティブゲート駆動を用いたIGBTの最適スイッチング性能【Powered by NICT】

Optimal switching performance of IGBT using active gate drive for PWM converters

著者 (5件)： Tan Kun (Department of Engineering, University of Leicester, UK, England) ,  Fu You (School of Electrical Engineering, Dalian University of Technology, China) ,  Wang Zhiqiang (School of Electrical Engineering, Dalian University of Technology, China) ,  Ji Bing (Department of Engineering, University of Leicester, UK, England) ,  Lefley Paul (Department of Engineering, University of Leicester, UK, England)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICSAE  ページ： 362-367  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,IGBTのスイッチング特性と最新の制御戦略とそのゲート駆動を検討した。スイッチング過渡現象の間,ターンオンとターンオフ遅延時間,電流/電圧オーバシュート,IGBTの散逸スイッチング損失と電磁干渉は全てその駆動回路に関係している。進行と適切な運転戦略はパワーエレクトロニクスシステムの性能と信頼性をさらに向上させることができ,電力用半導体素子の完全な可能性を発揮する。典型的な活性ゲート駆動法の比較研究を行い,スイッチ動力学とストレス因子は解析的表現とシミュレーションにより評価した。それらの賛否両論を議論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体素子 ,  駆動回路 ,  ターンオフ ,  オーバシュート ,  *IGBT ,  *スイッチ ,  スイッチング損失 ,  電力 ,  *接続品質 ,  電磁干渉 ,  ターンオン
準シソーラス用語： 遅延時間 ,  スイッチング過渡現象 ,  スイッチング特性 ,  *PWMコンバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： PWMコンバータ ,  ゲート ,  IGBT ,  スイッチング性能