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J-GLOBAL ID：201702280554819876   整理番号：17A0236965

Al(111)上のゲルマネン:界面電子状態と電荷移動

Germanene on Al(111): Interface Electronic States and Charge Transfer

著者 (9件)： STEPHAN R. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA) ,  HANF M.C. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA) ,  DERIVAZ M. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA) ,  DENTEL D. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA) ,  ASENSIO M. C. (Synchrotron SOLEIL, Gif-sur-Yvette, FRA) ,  AVILA J. (Synchrotron SOLEIL, Gif-sur-Yvette, FRA) ,  MEHDAOUI A. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA) ,  SONNET P. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA) ,  PIRRI C. (Univ. de Haute Alsace, Mulhouse, FRA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 3  ページ： 1580-1585  発行年： 2016年01月28日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,グラフェン以外のシリセンおよびゲルマネンのような二次元材料が注目されているが,その独立膜は得られておらず成長の為の基板が必要である。ここでは,Al(111)上に成長させたゲルマネンの電子構造を高分解能光電子分光法および密度汎関数理論計算によって調べた。Al原子からGeへの有意な電荷移動が起こることでゲルマン層とAl基板との間に静電相互作用が生ずるが,電子はゲルマネン/Al界面に局在しその相互作用は非共有結合的で弱いことが判った。またゲルマネン中には3つの非等価なGeサイトが存在することを示した。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  無機材料 ,  基板 ,  アルミニウム ,  *電子構造 ,  静電相互作用 ,  電荷移動 ,  密度汎関数法 ,  *界面 ,  光電子分光法 ,  *結晶構造 ,  結晶 ,  *層状化合物 ,  *単原子層
準シソーラス用語： *ゲルマネン ,  *サイト占有 ,  *界面電子構造

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  ゲルマネン ,  界面 ,  電子状態 ,  電荷移動