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J-GLOBAL ID：201702280588285040   整理番号：17A0389351

UV/オゾン支援移動過程により作製した清浄表面を有する高品質グラフェン膜【Powered by NICT】

High quality graphene films with a clean surface prepared by an UV/ozone assisted transfer process

著者 (10件)： Sun Hongyan (College of Materials Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, P. R. China. [e-mail]) ,  Chen Ding ,  Wu Yuming ,  Yuan Qilong ,  Guo Liangchao ,  Dai Dan ,  Xu Yang ,  Zhao Pei ,  Jiang Nan ,  Lin Cheng-Te
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 8  ページ： 1880-1884  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは,オプトエレクトロニクス応用のための透明導電性電極として大きな可能性を示した。しかし,グラフェン移動過程中に発生する残渣がデバイス性能の劣化をもたらした。,グラフェン移動の従来のプロセスとUV/オゾン前処理の組合せは,任意の基板上に清浄な表面を持つ大面積グラフェン膜を得ることを助けることができることを示した。一般的に,CVD成長の後に,グラフェン膜は,Cu箔の底部と上部の両表面上に形成されたであろう。UV/オゾン前処理により,損傷を受けていないと清浄な表面を持つグラフェン層を得ることができ,これは残基は存在しなかった。添加では,得られたグラフェンの品質も改善することができ,これはUV/オゾン前処理を用いて調製したグラフェン膜に対して2.0~3.6I_2D/I_G比の増加により明らかにされた。移したグラフェン膜は,高い透明性(550nmで97.5%)を示し,電子移動度(1178 cm~2 V~ 1 s~ 1)は,従来の移動過程(685 cm~2 V~ 1 s~ 1)で調製したものと比較して二倍向上させることができる。高効率,低コスト,スケーラビリティを考慮して,UV/オゾン支援移動法は,透明導電性電極のようなグラフェンベース素子応用の性能に有益である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銅箔 ,  清浄面 ,  導電性 ,  *グラフェン ,  前処理 ,  品質 ,  *オゾン ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： ローコスト ,  高効率 ,  電子移動度 ,  透明性 ,  大面積 ,  *高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： オゾン ,  支援 ,  移動過程 ,  作製 ,  清浄表面 ,  高品質 ,  グラフェン膜