CHELOUCHE A. について
Univ. de Bejaia, Bejaiea, DZA について
TOUAM T. について
Univ. Badji Mokhtar, Annaba, DZA について
TOUAM T. について
Univ. Ferhat Abbas Setif 1, Setif, DZA について
BOUDJOUAN F. について
Univ. de Bejaia, Bejaiea, DZA について
DJOUADI D. について
Univ. de Bejaia, Bejaiea, DZA について
MAHIOU R. について
Univ. Clermont Auvergne, Aubiere, FRA について
BOULOUFA A. について
Univ. Setif-1, Setif, DZA について
CHADEYRON G. について
Univ. Clermont Auvergne, Aubiere, FRA について
HADJOUB Z. について
Univ. Badji Mokhtar, Annaba, DZA について
Journal of Materials Science. Materials in Electronics について
ゾル-ゲル法 について
薄膜 について
ナトリウム について
ドーピング について
効果 について
構造特性 について
光学的性質 について
モルフォロジー について
P型半導体 について
表面粗さ について
キャリア密度 について
Hall移動度 について
電気抵抗 について
透過率 について
吸収端 について
赤方偏移 について
青方偏移 について
光ルミネセンス について
放射強度 について
スペクトル について
PLスペクトル について
ZnO薄膜 について
ゾル-ゲル合成 について
ドーピング効果 について
フォトルミネセンス について
光透過率 について
正孔濃度 について
透過スペクトル について
発光強度 について
固体デバイス材料 について
酸化物薄膜 について
ZnO薄膜 について
伝導度 について
光学特性 について
Na について
ドーピング について