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J-GLOBAL ID：201702280750465903   整理番号：17A0057892

+1.5Vの1.7mmとしきい値電圧の記録ドレイン電流密度を有するエンハンスメントモードAl_2O_3/InAlGaN/GaN MOS-HEMT【Powered by NICT】

Enhancement-mode Al₂O₃/InAlGaN/GaN MOS-HEMTs with a record drain current density of 1.7 A/mm and a threshold voltage of +1.5 V

著者 (5件)： Zhang Kai (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, NO. 524 Zhongshan East Road, Nanjing) ,  Zhou Jianjun (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, NO. 524 Zhongshan East Road, Nanjing) ,  Kong Cen (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, NO. 524 Zhongshan East Road, Nanjing) ,  Kong Yuechan (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, NO. 524 Zhongshan East Road, Nanjing) ,  Chen Tangsheng (Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory, Nanjing Electronic Devices Institute, NO. 524 Zhongshan East Road, Nanjing)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 64-67  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四元InAlGaN障壁に基づく高性能エンハンスメントモードMOS-HEMTについて報告した。自己整合ゲート技術ではゲートリセス構造,誘電体堆積とゲート電極形成プロセスに使用される,改良されたディジタルリセスプロセスとO2プラズマ支援Al_2O_3ゲート誘電体を開発した。作製したEモードMOS-HEMTは,1.5Vのしきい値電圧(V_TH)と1.7mmの記録出力電流密度,及び2.0Q mmの小さなオン抵抗(R_on)を示した。優れたV_THヒステリシスと大きく改良されたゲート漏れ電流特性も示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オン抵抗 ,  プラズマ ,  *HEMT ,  ヒステリシス ,  誘電体 ,  *電流密度 ,  自己整合 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  ゲート電極 ,  リセス構造 ,  *エンハンスメントモード ,  *ドレイン電流 ,  *閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： しきい値電圧 ,  ドレイン ,  電流密度 ,  エンハンスメントモード ,  GaN ,  MOS ,  HEMT