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J-GLOBAL ID：201702280949210294   整理番号：17A0407355

遷移金属をドープした1T ZrS_2に誘起された磁性【Powered by NICT】

Induced magnetism in transition metal-doped 1T-ZrS₂

著者 (6件)： Zhao Xu (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Wang Tianxing (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Wei Shuyi (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Dai Xianqi (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Dai Xianqi (Department of Physics, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China) ,  Yang Lin (School of Chemistry and Chemical Engineering, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 2048-2053  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3d遷移金属(TM)をドープした1T ZrS_2の電子的性質及び磁気的挙動を第一原理計算を用いて調べた。IIIBからの遷移金属原子をドープした非磁性1T ZrS_2ナノ材料におけるVIB群。著者らの計算は新品1T ZrS_2は間接バンドギャップ1.106eVの半導体であることを示した。磁性はV,Cr,Mn,Fe,Co,およびCuドープした系で観測することができた。分極電荷は,主にTM原子の局在3d電子から生じる。強いp-dハイブリダイゼーションはS.のTMと3p軌道の3d軌道間に見られた。置換1T ZrS_2は金属,半導体や半金属であることができる。バンド構造と磁気的性質の分析は,TMドープZrS_2(TM=V, Fe, Cu)である半金属とスピン注入を支持することを示した。対照的に,VドープZrS_2は比較的広い半金属ギャップ(0.450eV)を持ち,Vドープ1T ZrS_2はスピン注入に理想的である。これらの結果はスピントロニクス応用に有用であり,半導体スピントロニクスの開発に重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンド構造 ,  *ドーピング ,  磁気的性質 ,  ナノ材料 ,  *磁性 ,  半金属 ,  スピントロニクス ,  半導体 ,  *遷移金属
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  スピン注入 ,  分極電荷 ,  間接バンドギャップ ,  第一原理計算 ,  磁気的挙動 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 磁性 ,  希薄磁性半導体 ,  電子バンド構造

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属 ,  ドープ ,  誘起 ,  磁性