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J-GLOBAL ID：201702281129668575   整理番号：17A0222712

AlGaN/GaN積層体におけるRamanシフトの温度依存性と面内歪みの相関

Correlation between temperature dependence of Raman shifts and in-plane strains in an AlGaN/GaN stack

著者 (3件)： Kosemura Daisuke (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Sodan Vice (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  De Wolf Ingrid (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 3  ページ： 035702-035702-6  発行年： 2017年01月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *積層構造 ,  *Ramanスペクトル ,  温度依存性 ,  *歪 ,  フォノン ,  深さ分布 ,  格子定数 ,  HEMT ,  周波数 ,  スペクトルシフト
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  フォノン周波数 ,  光学フォノン ,  *面内歪

分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  積層体 ,  Ramanシフト ,  温度依存性 ,  面内歪み ,  相関