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J-GLOBAL ID:201702281198178206   整理番号:17A0751669

高オン/オフ比と高速速度を持つSe/ZnO p-nヘテロ接合紫外光検出器二成分応答【Powered by NICT】

Binary response Se/ZnO p-n heterojunction UV photodetector with high on/off ratio and fast speed
著者 (7件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: ROMBUNNO.201600257  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2334A  ISSN: 1863-8880  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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大面積(1×1cm以上)を持つp Se/n ZnOハイブリッド構造に基づく高性能UV光検出器(PD)を本研究で提示した。デバイスは,その特別な構造のための並列接続回路理論的に等価であり,異なる電圧バイアスで多機能,出力信号は印加電圧により調整できる方法を示した。Se/ZnO PDは弱信号検出応用における雑音信号の負の影響を減少させる効率的に小さい逆バイアス( 0.05Vと 0.1V)下での二元応答(オン/オフ周期的光照射下で正と負の電流出力)を示した。零バイアスで,p-nヘテロ接合を用いて,ほぼ10~4の高いオン/オフ比は370nm(~0.85 mW cm~ 2)照射下で零セットバイアスでこのデバイスにより達成され,このオン/オフ比は0.5秒で達成した。デバイスは,パルスレーザで測定した0.69msの立ち上がり時間と減衰時間13.5msの高速を示し,純粋なZnO膜のそれよりはるかに速かった。本研究でSe/ZnO PDは多機能高速,高信号対雑音比,高い検出感度と高い選択性UV光検出器を作製するための新しい経路を提供する。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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光導電素子  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  非線形光学 

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