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J-GLOBAL ID：201702281362264355   整理番号：17A0309989

ビスマスドープLa_2Ti_2O_7セラミックの相転移,誘電緩和および圧電特性【Powered by NICT】

Phase transition, dielectric relaxation and piezoelectric properties of bismuth doped La₂Ti₂O₇ ceramics

著者 (5件)： Li Chunchun (College of Information Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 541004, China) ,  Li Chunchun (State Key Laboratory Breeding Base of Nonferrous Metals and Specific Materials Processing, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 54100...) ,  Xiang Huaicheng (State Key Laboratory Breeding Base of Nonferrous Metals and Specific Materials Processing, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 54100...) ,  Chen Jinwu (State Key Laboratory Breeding Base of Nonferrous Metals and Specific Materials Processing, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 54100...) ,  Fang Liang (State Key Laboratory Breeding Base of Nonferrous Metals and Specific Materials Processing, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-Ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, College of Material Science and Engineering, Guilin University of Technology, Guilin 54100...)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 9  ページ： 11453-11458  発行年： 2016年07月 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： xが0.05から0.3の範囲でLa_2Bi_Ti_2O_7固溶体は,ビスマス置換を通して形成された。緻密で組織化セラミックをスパークプラズマ焼結により作製した。ビスマス含有量が増加すると誘電スペクトルは,損失正接の大幅な低下を伴って室温誘電率の増加を示した。誘電特性の増強は,孤立電子対を有するBi~3+イオンの高い分極率に起因した。Curie温度(T)は減少したが,d値は増加した。T 1395±5,d_~3.6±0.1pC/N,Bi_0 1La_1 9Ti_2O_7,集合組織化したセラミックが得られた。複素インピーダンス分析は,800°Cでx=0~0.2の単斜晶P2_から斜方晶へのCmc2_から相転移を確認した。温度範囲600 1000°Cで観測された誘電緩和はMaxwell-Wagner効果に起因するものであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固溶体 ,  損失正接 ,  分極率 ,  *ビスマス ,  単斜晶系 ,  誘電率 ,  *誘電緩和 ,  Curie温度 ,  放電プラズマ焼結 ,  斜方晶系 ,  誘電性 ,  *セラミック
準シソーラス用語： 複素インピーダンス ,  誘電スペクトル ,  *圧電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 圧電 ,  Curie温度 ,  圧電係数 ,  ペロブスカイト類似構造

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (6件)： ビスマス ,  ドープ ,  セラミック ,  相転移 ,  誘電緩和 ,  圧電特性