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J-GLOBAL ID：201702281506702376   整理番号：17A0410682

化学気相輸送蒸着により達成されたタングステン単結晶コーティングについて【Powered by NICT】

On the tungsten single crystal coatings achieved by chemical vapor transportation deposition

著者 (13件)： Shi J.Q. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Shen Y.B. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Yao S.Y. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Zhang P.J. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Zhou Q. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Guo Y.Z. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Tan C.W. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Tan C.W. (China Astronaut Research and Training Center, Beijing 100094, China) ,  Yu X.D. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Yu X.D. (China Astronaut Research and Training Center, Beijing 100094, China) ,  Nie Z.H. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Ma H.L. (China Astronaut Research and Training Center, Beijing 100094, China) ,  Cai H.N. (School of Materials Science and Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China)
資料名： Materials Characterization  (Materials Characterization)
巻： 122  ページ： 36-44  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0448C  ISSN： 1044-5803  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステン単結晶は多くの優れた特性,すなわち,高融点,高抗クリープ強度を持っていた。化学蒸気輸送堆積(CVTD)は熱電子エネルギー変換器のカソードのような高温応用のための大型W単結晶を達成することができる方法である。本研究では,CVTD W被覆を輸送媒体としてWCl_6を用いた単結晶モリブデン基板(<111>軸結晶方位を有する管)上に堆積した。被覆のミクロ組織を走査型電子顕微鏡(SEM)および電子後方散乱回折(EBSD)により調べた。蒸着されたコーティングは,プリズムの側端での交流丘状バルジとピットを持つ<110>に垂直な六方プリズム粗面,側面で円弧状テラスを持つ<112>に垂直な平坦な表面である。は二次元核形成仲介横方向成長モデルにより説明できた。被覆の一部は外来形態(「異常成長」と記す)のヒロックを含んでいた。異常成長はMo基板の欠陥,W核形成サイトを促進し,方位差の原因となり,コーティング中の境界を形成しても,に起因する可能性があることを仮定した。転位密度10~6 10~7(counts/cm~2)のエッチピット法とシンクロトロンX線回折によって明らかにされた。堆積温度が上昇すると,転位密度は減少し,亜粒界は1300°C以上で堆積した試料に見出され,原子拡散と転位上昇の結果としてではない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *単結晶 ,  核形成 ,  プリズム ,  モリブデン ,  結晶方位 ,  *被覆 ,  転位密度 ,  走査電子顕微鏡 ,  融点 ,  成長異常 ,  高温 ,  *タングステン ,  エッチピット ,  二次元 ,  クリープ強さ

著者キーワード (3件)： タングステン単結晶 ,  化学気相輸送蒸着 ,  Microstructures

分類 (1件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学 ,  気相 ,  輸送 ,  蒸着 ,  タングステン単結晶 ,  コーティング