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J-GLOBAL ID:201702281851062209   整理番号:17A0751502

太陽電池のための無機鉛フリーCsSnI_3ペロブスカイト結晶における長い少数キャリア拡散長と低表面再結合速度【Powered by NICT】

Long Minority-Carrier Diffusion Length and Low Surface-Recombination Velocity in Inorganic Lead-Free CsSnI3 Perovskite Crystal for Solar Cells
著者 (10件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: ROMBUNNO.201604818  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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Sn系ペロブスカイトは,理想的な1.3eVバンドギャップを持つ有望な鉛フリー光起電力材料である。しかし,今日まで,Sn系薄膜ペロブスカイト太陽電池は,比較的低い電力変換効率(PCE)をもたらした。これはPb系システムよりもそれらの貧弱な光物理的性質(すなわち,短い拡散長さ(<30 nm)と大きさの二桁高い欠陥密度)に起因した。ここでは,高品質の大型単結晶(SC)結晶粒を含む溶融合成したセシウムすずヨージド(CsSnI_3)インゴットをこれらの基本的限界を超えることを明らかにした。詳細な光学分光法により,それらの本質的に優れた特性は,バルクキャリア寿命6.6nsに達し,4.5×10~約17cm~ 3のドーピング濃度,および1μmに接近する少数キャリア拡散長をもつ,約54ps,≒9.2×10~18cm~ 3,および16nmを有する多結晶対応物と比べて明らかにした。CsSnI_3SCも≒2×10~3cm・s 1~ 1の非常に低い表面再結合速度,Pb系ペロブスカイトと同様に示した。重要なことは,これらの重要なパラメータは,高性能p型光起電力材料(例えば,InP結晶)に匹敵した。知見により最適化されたCsSnI_3SC太陽電池に対して約23%のPCEを予測し,それらの大きな可能性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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太陽電池 

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