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J-GLOBAL ID：201702282013863812   整理番号：17A0210957

SOAの集積された56Gb/sのL-バンドInGaAlAsから成るリッジ型導波路による電界吸収型変調レーザー

56 Gb/s L-band InGaAlAs ridge waveguide electroabsorption modulated laser with integrated SOA

著者 (6件)： Theurer M. (Fraunhofer Heinrich-Hertz-Institute, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany) ,  Przyrembel G. (Fraunhofer Heinrich-Hertz-Institute, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany) ,  Sigmund A. (Fraunhofer Heinrich-Hertz-Institute, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany) ,  Molzow W.-D. (Fraunhofer Heinrich-Hertz-Institute, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany) ,  Troppenz U. (Fraunhofer Heinrich-Hertz-Institute, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany) ,  Mohrle M. (Fraunhofer Heinrich-Hertz-Institute, Einsteinufer 37, 10587 Berlin, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 213  号： 4  ページ： 970-974  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,半導体光増幅器の組み込まれたL-バンドのInGaAlAsを基本とする電界吸収型変調DFBレーザーを実証する。低チャープで,高出力のこの素子は,56Gbs^-1で動作する。低い製造コストと高い歩留まりのために,1つの共通のInGaAlAs多重量子井戸構造でこの素子を作製する。素子構造の重要な側面について説明し,DCとRFの特性を示す。実験的特性評価のために,集積半導体光増幅器(SOA)が素子の性能に及ぼす影響に焦点を絞る。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光導波路 ,  *光変調 ,  *分布帰還形レーザ ,  *アルミニウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  *電界吸収 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *多重量子井戸 ,  出力 ,  改良 ,  *リッジ導波管 ,  *光増幅器 ,  半導体レーザ
準シソーラス用語： DFBレーザ ,  *ヒ化アルミニウムガリウムインジウム ,  高出力 ,  歩留り向上 ,  リッジ導波路

著者キーワード (6件)： chirp ,  electroabsorption modulators ,  InGaAlAs ,  lasers ,  optical amplifiers ,  semiconductors

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： SOA ,  集積 ,  バンド ,  InGaAlAs ,  リッジ ,  導波路 ,  電界吸収 ,  変調 ,  レーザー