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J-GLOBAL ID：201702282026950373   整理番号：17A0114273

Tonti図に基づく離散幾何学的方法を用いたTSVのマルチフィジックス結合解析【Powered by NICT】

Multiphysics coupling analysis of TSV by using discrete geometric method based on Tonti diagram

著者 (5件)： Gao Zhan (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Xu Xiaoyu (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yan Shuai (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Lyu Pengfei (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Ren Zhuoxiang (Sorbonne Universite ́s, UPMC Univ Paris 06, UR2, L2E, Paris, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CEFC  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： されたTonti図をいくつかの物理的場に対する一般的な数学的構造を考案し,その,微分形式で種々の場のソルバのための全体剛性マトリックスを確立するために均一なトポロジー的演算子を提供する。離散幾何学的方法は,主問題と双対メッシュの幾何学的パラメータの分割による構成則のHodge離散化を実装している。されたTonti図への対応,直感的かつ実用マルチフィジックス問題のための的確な解を達成することができた。構成方程式の構築と結合項の処理を含む定常電気-熱-機械的連成問題を研究した。3D ICのシリコン貫通ビア(TSV)構造における抵抗性損失により誘起された熱-機械的応力に関して典型的な問題を検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構成方程式 ,  *微分形式 ,  三次元 ,  剛性マトリックス ,  位相幾何学 ,  機械的ストレス ,  シリコン貫通ビア ,  連成問題 ,  離散化 ,  構成則 ,  幾何学的パラメータ ,  ソルバ ,  *離散幾何
準シソーラス用語： *マルチフィジックス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 離散幾何学 ,  TSV ,  マルチフィジックス ,  結合解析