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J-GLOBAL ID：201702282041766795   整理番号：17A0704698

エミッタとしてV_2O_x/metal/V_2O_xを用いたドーパントフリー多層裏面接触シリコン太陽電池【Powered by NICT】

Dopant-free multilayer back contact silicon solar cells employing V₂O_x/metal/V₂O_x as an emitter

著者 (8件)： Wu Weiliang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Higher Education Mega Center, Guangzhou, Guangdong Province, PR China) ,  Lin Wenjie ,  Bao Jie ,  Liu Zongtao ,  Liu Binhui ,  Qiu Kaifu ,  Chen Yifeng ,  Shen Hui
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 38  ページ： 23851-23858  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低温で熱蒸発プロセスを用いて堆積したドーパントを含まない正孔選択接触としてV_2O_x(8 nm)/metal/V_2O_x(8 nm)(VMV)多層膜を用いた新しい多層背面接触(MLBC)太陽電池を提示した。最適V_2O_x膜は高い仕事関数を持ち,蒸発プロセス中において注意深く制御O_2分圧の導入によってO欠損ギャップ内状態エネルギーを減少させた。n-SiとVMV(12 nm Ag)とVMV(4 nm Au)接触の接触抵抗率は1.58mΩcm~2と0.04mΩcm~2であり,16nm V_2O_x/n-Si接触のそれよりも小さかった。興味深いことに,VMV(Au)/n-Si MLBC太陽電池は改善された電荷キャリア輸送を示し,誘起されたp-n接合をもたらした。VMV(Ag)/n-SiとVMV(Au)/n-SiとMLBC太陽電池の支配的な界面電荷キャリア輸送特性は,拡散-再結合モデルと対応する接触が,V_2O_x/n-SiとVMV(Ca)/n-Si接触をもつMLBC太陽電池は高い順方向バイアス電圧での多重トンネル捕獲放出モデルと対応していた。エミッタとしてVMV(4 nm Au)を使用すると,このタイプMLBC太陽電池の,V_2O_x/n-Si太陽電池(17.58%)のそれよりも大きい19.02%の効率を達成した。本研究では,簡単な作製プロセスを用いた高安定性を持つ低性能ドーパント裏面接触太陽電池の作製を可能にするための重要な意味を持っている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分圧 ,  界面 ,  多層膜 ,  *多層 ,  蒸発 ,  *太陽電池 ,  捕獲 ,  *ドーパント ,  仕事関数 ,  ケイ素 ,  PN接合 ,  正孔
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  電荷キャリア ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： エミッタ ,  ドーパント ,  多層 ,  裏面接触 ,  シリコン太陽電池