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J-GLOBAL ID：201702282049891359   整理番号：17A0759389

非晶質SiZnSnO薄膜トランジスタを用いたフルスイングデプレッション負荷インバータ【Powered by NICT】

Full swing depletion-load inverter with amorphous SiZnSnO thin film transistors

著者 (2件)： Han Sangmin (Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University, 298 Daeseong-ro, Cheongju, 28503, Korea) ,  Lee Sang Yeol (Department of Semiconductor Engineering, Cheongju University, 298 Daeseong-ro, Cheongju, 28503, Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 2  ページ： ROMBUNNO.201600469  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空乏モード(Dモード)とエンハンスメントモード(Eモード)の0.5と2wt.%Siドープa SZTO TFTと0.2wt.%Siをドープした非晶質酸化亜鉛スズ(a SZTO)薄膜トランジスタ(TFT)から成る高性能インバータ回路は全てn型金属酸化物TFTを用いて作製した。これらのインバータモデルは変化するSiドーピング比により容易に制御DモードとEモード間のしきい値電圧(V_th)の違いによる運転されている。二インバータの高電圧利得はV_DD=15Vで12と~14.2~得られ,サブ閾値スイング(SS)に強く依存して示した。EモードTFTのSSと動作電圧(V_OP)を変化させて遷移領域とインバータ回路の雑音余裕度を制御することが可能である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 雑音安定度 ,  *ケイ素 ,  *非晶質 ,  電圧 ,  *薄膜トランジスタ ,  金属酸化物 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 遷移領域 ,  動作電圧 ,  サブ閾値スイング ,  高電圧利得 ,  閾値電圧 ,  酸化亜鉛スズ ,  エンハンスメントモード , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： インバータ ,  SiZnSnO ,  薄膜トランジスタ ,  電圧伝達特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜トランジスタ ,  インバータ