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J-GLOBAL ID：201702282215784721   整理番号：17A0055455

コプレーナストリップ線路に集積された自立Ge_1Sb_2Te_4ナノ膜の電気的および光学的キャラクタリゼーション【Powered by NICT】

Electrical and optical characterization of freestanding Ge₁Sb₂Te₄ nano-membranes integrated in coplanar strip lines

著者 (10件)： Mikulics M. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Marso M. (Faculte ́ des Sciences, de la Technologie et de la Communication, Universite ́ du Luxembourg, L-1359 Luxembourg) ,  Adam R. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Schuck M. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Fox A. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Sobolewski R. (Department of Electrical and Computer Engineering and Laboratory for Laser Energetics, University of Rochester, Rochester, New York 14627-0231, USA) ,  Kordos P. (Institute of Electronics and Photonics, Slovak Technical University, SK-81219 Bratislava, Slovak Republic) ,  Luth H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Grutzmacher D. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany) ,  Hardtdegen H. (Peter Gruenberg Institute, Forschungszentrum Juelich, 52425 Juelich, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 73-76  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自立Ge_1Sb_2Te_4ナノ膜の輸送および積分法を開発した。低抵抗Ge_1Sb_2Te_4/Ti/Au Ohm接触の正確に局所形成のためのいわゆるレーザマイクロアニーリングプロセスを最適化した。III族窒化物に基づくオプトエレクトロニクス回路への実施後ナノ膜デバイスで研究した超高速スイッチング効果。目立った構造的劣化を伴わない観察された高抵抗スイッチング。電荷輸送測定は,電流密度は~100スイッチングサイクル後に10~ 11Å/μm~3まで10~ 6から「READそれぞれSET/RESET」領域の値を示すことが分かった。自立Ge_1Sb_2Te_4ナノ膜に関する著者らの研究は,将来の低エネルギー消費データ記憶装置のための高い可能性を有する新しいカルコゲン化物材料系における電荷輸送に関連する物理的現象のより良い理解に貢献する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  窒化物 ,  *キャラクタリゼーション ,  オプトエレクトロニクス ,  積分 ,  カルコゲン化物 ,  スイッチ効果 ,  電流密度 ,  最適化 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  電荷輸送 ,  抵抗スイッチング ,  超高速 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線路 ,  集積 ,  自立 ,  ナノ膜 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション