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J-GLOBAL ID：201702285722203823   整理番号：17A0762196

In系金属-誘起骨格からの光触媒酸素発生のためのNドープメソ多孔性In₂O₃

N-Doped Mesoporous In₂O₃ for Photocatalytic Oxygen Evolution from the In-based Metal-Organic Frameworks

著者 (8件)： Gan Xiaoyu (Key Laboratory for Colloid & Interface Chemistry, Shandong University, Education Ministry, Jinan, 250100, P.R. China) ,  Gan Xiaoyu (Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Ministry of Education, Jinan, 250100, P.R. China) ,  Zheng Ruijin (Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Ministry of Education, Jinan, 250100, P.R. China) ,  Liu Tianlin (Key Laboratory for Colloid & Interface Chemistry, Shandong University, Education Ministry, Jinan, 250100, P.R. China) ,  Meng Jiao (Key Laboratory for Colloid & Interface Chemistry, Shandong University, Education Ministry, Jinan, 250100, P.R. China) ,  Chen Ruiping (State Key Lab of Structural Chemistry, Fujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of Sciences, Fuzhou, 350002, P.R. China) ,  Sun Xuan (Key Laboratory for Colloid & Interface Chemistry, Shandong University, Education Ministry, Jinan, 250100, P.R. China) ,  Sun Xun (Key Laboratory of Functional Crystal Materials and Device, Shandong University, Ministry of Education, Jinan, 250100, P.R. China)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 23  号： 30  ページ： 7264-7271  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたn型半導体として,酸化インジウム(In₂O₃)は,光誘起水分解のような光触媒反応の良好な候補でもある。しかし,In₂O₃において,酸素発生反応(OER)の効率は,広バンドギャップ(BG)と高速電荷再結合の観点から性能が悪い。窒素ドーピングは,価電子バンド(VB)と伝導バンド(CB)の間に新しいエネルギーレベルを形成することにより,BGを狭め,電荷再結合を阻止する妥当な方法である。本報では,Inドープ有機骨格であるsod-ZMOFを前駆体として利用して,NドープIn₂O₃を調製した。か焼後,sod-ZMOFはNドープIn₂O₃ナノ結晶に変換され,sod-ZMOF内の配位子は,窒素源として作用した。加えてsod-ZMOFは,か焼中,自己鋳型として作用し,In₂O₃骨格内に多くのナノ孔を生成し,大きな比表面積とOERに対する活性サイトが得られた。Nドーピングにより,BGは,純In₂O₃の3.7eVから2.9eVに狭まった。N化学種は,置換型および格子間型の両方でドープされ,格子間ドーピングが,酸素空孔の形成により,光誘起キャリア分離を促進すると考えられた。結局OERの過電圧は,純In₂O₃から効果的に減少し,電極触媒実験によりIn(OH)₃から得られたIn₂O₃ナノ粒子と比較して高い電流密度と長期耐久性を持つ優れた触媒活性であることがわかった。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  再結合 ,  *ドーピング ,  *酸化インジウム ,  ナノ結晶 ,  か焼 ,  鋳型反応 ,  比表面積 ,  材料 ,  多孔質体 ,  空格子点 ,  *酸素発生 ,  過電圧 ,  電極触媒 ,  電流密度 ,  *窒素 ,  *光触媒反応 ,  光触媒 ,  *光電流 ,  配位高分子 ,  インジウム錯体 ,  アクア錯体 ,  格子間原子 ,  置換型原子 ,  窒素複素環化合物 ,  脂肪族ニトリル ,  脂肪族カルボン酸 ,  カルボアミド
準シソーラス用語： 電荷再結合 ,  窒素ドープ ,  メソ多孔質体 ,  酸素空孔 ,  MOF【配位高分子】

著者キーワード (5件)： indium ,  metal-organic frameworks ,  N-doping ,  oxygen evolution reaction ,  photocatalyts

分類 (3件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

物質索引 (4件)： 4,5-イミダゾールジカルボン酸 ,  イミダゾール ,  アセトニトリル ,  DMF

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘起 ,  骨格 ,  光触媒 ,  酸素発生 ,  ドープ ,  メソ多孔性