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J-GLOBAL ID：201702285822170974   整理番号：17A0062100

有限要素モデリングによる翼型状相変化層を有する相変化ランダムアクセスメモリのリセット動作の3次元シミュレーション【Powered by NICT】

Three-Dimensional Simulations of RESET Operation in Phase-Change Random Access Memory with Blade-Type Like Phase Change Layer by Finite Element Modeling

著者 (11件)： Jin Qiuxue (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Bo (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Yan (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Weiwei (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Heng (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Zhen (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Gao Dan (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Qing (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Xia Yangyang (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Song Zhitang (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Feng Songlin (Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 9  ページ： 098502-1-098502-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ブレード形式のような(BTL)相変化層を有する相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)のリセット電流を低減するための最適化デバイス構造を提案した。三次元有限要素モデリングによるBTL細胞と翼加熱器接触器構造の電気的熱分析はRESET動作中に互いに比較した。シミュレーション結果は,BTL細胞における相変化層のプログラミング領域ははるかに小さく,BTLセルの熱電気分布はTiN/GST界面上のより濃縮されたことを示した。結果はBTL細胞は加熱効率を増加させ,消費電力を減少させ,リセット電流を0.67mAから0.32mAまでの優位性を持つことを示した。BTLセルは低い電力消費と低いRESET電流と高性能PCRAMデバイスのための適切であろう。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *I動作 ,  熱電流 ,  電力消費 ,  界面 ,  三次元 ,  *相転移 ,  電流 ,  *RAM【メモリ】 ,  最適化 ,  消費電力 ,  接触器
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  リセット電流 ,  *三次元シミュレーション ,  *有限要素モデリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 有限要素モデリング ,  翼型 ,  相変化 ,  ランダムアクセスメモリ ,  リセット動作 ,  3次元シミュレーション