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J-GLOBAL ID：201702286025580575   整理番号：17A0406883

Pt/NiFe_2O_4/Nb:SrTiO_3ヘテロ構造における抵抗スイッチングと関連した磁性の電場変調【Powered by NICT】

Electric field modulation of resistive switching and related magnetism in the Pt/NiFe₂O₄/Nb:SrTiO₃ heterostructures

著者 (9件)： Wang Qiangwen (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Zhu Yongdan (School of Information Engineering, Hubei University for Nationalities, Enshi, 445000, Hubei, PR China) ,  Liu Xiaolian (School of Electrical Engineering and Automation, Henan Polytechnic University, Jiaozuo, Henan, PR China) ,  Zhao Meng (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Wei Maocai (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Zhang Feng (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Zhang Yuan (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Li Min (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China) ,  Li Meiya (School of Physics and Technology, Key Laboratory of Artificial Micro/Nano Structures of the Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan 430072, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 693  ページ： 945-949  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルパルスレーザ蒸着によりNbをドープした(001)SrTiO_3(NSTO)単結晶基板上に成長させたPt/NFO/NSTO/Inヘテロ構造を形成したNiFe_2O_4(NFO)薄膜。ヘテロ構造は安定な二極性抵抗スイッチング,保持とマルチレベル記憶特性を示した。高抵抗から低抵抗への比の最大値は1×10~3以下であった。異なる高抵抗状態と低抵抗状態とそれらの対応する異なった磁化を種々の電圧を印加することにより同時に観測することができた。抵抗状態と磁性の間の密接な相関は,可能性のある新しい磁気電気結合と変調を示した。NFO/NSTOヘテロ構造界面の欠陥エネルギー準位におけるキャリヤ注入 トラップ/デトラップは抵抗スイッチングの主要な起源であることを明らかにし,一方,酸素空孔に起因するNi~2+の酸化還元反応は磁性の調節に重要な役割を果たしている。本研究では,このPt/NFO/NSTOヘテロ構造は不揮発性マルチレベル抵抗スイッチングメモリと新しい磁気電気結合とセンシング素子への応用の可能性を示すことを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア注入 ,  界面 ,  単結晶 ,  酸化還元反応 ,  パルスレーザ蒸着 ,  非揮発性 ,  *ニオブ ,  極性 ,  磁気 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 抵抗スイッチングメモリ ,  酸素空格子点 ,  マルチレベル ,  *抵抗スイッチング ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： NiFe_2O_4/Nb:SrTiO_3ヘテロ構造 ,  マルチレベル抵抗スイッチング ,  磁性 ,  電場変調 ,  キャリア注入trapped/detrapped ,  酸化還元

分類 (3件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pt ,  Nb ,  ヘテロ構造 ,  抵抗スイッチング ,  磁性 ,  電場変調