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J-GLOBAL ID：201702286136566621   整理番号：17A0347938

溝槽肖溝槽肖SISIプロセス【JST・京大機械翻訳】

Silicon Deep-Trench Etching for Trench Schottky Device

著者 (5件)： Li Zhishuan (Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd.) ,  Tang Guanghong (Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd.) ,  Yu Guangjun (Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd.) ,  Yang Xingang (Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd.) ,  Yang Fubao (Hangzhou Silan Integrated Circuit Co., Ltd.)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 12  ページ： 933-938  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 深硅刻Shiプロセスは,溝槽肖の製造のための鍵となる技術である。SI深溝の深さはショットキーホールの破壊電圧に影響し、深溝の垂直度は多結晶SIの充填効果に影響し、側壁の滑らかさと底部の長草の現象は部品の耐圧性能に著しい影響を与える。SF_6/O_2常温エッチング技術を用いてSI深溝をエッチングした。プロセスの圧力,コイルのパワー,SF_6/O_2の比率,および電極のパワーが,溝の深さと均一性に及ぼす影響を研究した。SI深溝の形態は,トラフの幅がトラフより大きく,側壁が滑らかで,溝の深さの均一性が2.3%であるという条件が得られた。このエッチング技術を利用して,SI/SI/SIの継ぎ目のない埋め込みを実現した。この技術条件を溝槽肖の作製に成功裏に適用し,逆電圧は58V,逆電圧は48V,漏れ電流は11.2ΜA,率は97.55%であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  エッチング ,  多結晶 ,  目地 ,  平滑度 ,  電圧 ,  *貯槽 ,  耐圧性
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： trench Schottky device ,  silicon deep-trench etching ,  etching at room temperature ,  void-free backfill ,  SF_6 / O_2 ratio

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (1件)： プロセス