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J-GLOBAL ID：201702286389987850   整理番号：17A0481331

有機絶縁体を伴った界面における半導体分極の新機構

New Mechanism of Semiconductor Polarization at the Interface with an Organic Insulator

著者 (5件)： YAFYASOV A. M. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  BOGEVOLNOV V. B. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  RYUMTSEV E. I. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  KOVSHIK A. P. (St. Petersburg State Univ., St. Petersburg, RUS) ,  MIKHAILOVSKI V. Yu. (St. Petersburg Univ., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 2  ページ： 193-195  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体表面に有機絶縁体膜を重ねることにより高速表面状態密度(N_SS)を低下させる一方で,有機物内に誘起する複雑な極性により半導体表面状態を調節する機会が拓けると思われる。空間分布電荷を有する半導体-有機絶縁体系を作ったが,そこでは界面における高速表面状態密度が電気化学エッチング工程により特徴的に低くされた。例としてn-GeについてN_SS≒5×10¹⁰cm^-2の系を得たが,系の物理的特性の測定を液相及び金属電極により行った。有機絶縁体を持つ系に対しては,半導体の空間電荷の富化の状況から反転状態までの表面電位の変化を,吸着層と半導体表面間の相互作用の機構に変更なしで初めて達成した。半導体空間電荷領域の分極の増強は,有機誘電体中の可動電荷の空間構造の変化に伴って起こった。ここで展開した系は有機薄膜構造を基にした電子素子の新範疇を作る可能性を有しており,また生体膜の電子物性の実験的モデリングへの道も拓くだろう。また液体電極による界面状態監視の有効性が実証された。

シソーラス用語： *絶縁材料 ,  *界面 ,  *半導体 ,  *分極 ,  電極 ,  反転層 ,  *表面電位 ,  電荷移動 ,  吸着 ,  ゲルマニウム ,  有機材料 ,  電解質 ,  状態密度 ,  生体膜 ,  *絶縁体

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁体 ,  界面 ,  分極