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J-GLOBAL ID：201702286695804226   整理番号：17A0205752

DC反応性マグネトロンスパッタリングによって蒸着したA-C:H薄膜の微細構造と摩擦摩耗挙動を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Microstructures and tribological properties of a-C:H film prepared by DC reactive magnetron sputtering

著者 (5件)： Liu Long (School of Material Science and Engineering, Jiangxi University of Science and Technology) ,  Zhou Shengguo (School of Material Science and Engineering, Jiangxi University of Science and Technology) ,  Wang Yuechen (School of Material Science and Engineering, Jiangxi University of Science and Technology) ,  Liu Zhengbing (School of Material Science and Engineering, Jiangxi University of Science and Technology) ,  Ma Liqiu (School of Material Science and Engineering, Jiangxi University of Science and Technology)
資料名： Youse Jinshu Kexue yu Gongcheng  (Youse Jinshu Kexue yu Gongcheng)
巻： 7  号： 1  ページ： 41-47  発行年： 2016年 
JST資料番号： C3154A  ISSN： 1674-9669  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 反応性ガスとして高純度グラファイトを,反応ガスとしてCH_4を用いて,DC反応性マグネトロンスパッタリングにより,CH_4フラックスを調整し,P(100)単結晶シリコンとステンレス鋼基板上に,一連のA-Cを調製した。H膜。電界放出型走査電子顕微鏡(FESEM),原子間力顕微鏡(AFM),RAMANスペクトル,ナノ,CSMスクラッチ試験機,摩擦摩耗試験機などの試験手段を用いて,調製した水素のA-Cを分析した。H膜の微細構造,機械的性質及び摩擦摩耗挙動を系統的に特性化した。結果は以下を示す。CH_4流量の増加とともに,水素含有A-Cが増加した。H膜の密度は,最初に増加し,次に減少した。膜の堆積速度はCH_4流量の増加とともに増加したが,その増加は徐々に減少した。CH_4流量の増加とともに,SP3雑化Jianの含有量とナノ硬度とYOUNG率は,最初に増加して,次に減少した。摩擦実験の結果は,CH_4流量が8SCCMのとき,水素含有A-Cが生成することを示した。H膜の摩擦学的性質は最も良く,摩擦係数は0.20であり,摩耗速度は6.48×10(-7)MM3/(N’M)であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ステンレス鋼 ,  引かき試験 ,  摩擦試験 ,  流量 ,  原子間力顕微鏡 ,  摩擦係数 ,  水素 ,  堆積速度 ,  *反応性 ,  摩耗速度
準シソーラス用語： ナノ硬さ ,  トライボメータ ,  電界放出型走査電子顕微鏡 ,  *摩耗挙動 ,  *反応性マグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： magnetron sputtering ,  a-C:H film ,  microstructure ,  friction and wear

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： DC ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  摩擦 ,  摩耗挙動 ,  研究