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J-GLOBAL ID：201702286929205975   整理番号：17A0586732

Si基板上のCeO₂層のエピタキシャル成長研究の概要

An Overview of Studies on Epitaxial Growth of CeO₂ Layers on Si Substrates

著者 (3件)： INOUE Tomoyasu (Iwaki Meisei Univ., Fukushima, JPN) ,  SHIDA Shigenari (Iwaki Meisei Univ., Fukushima, JPN) ,  SAKAMOTO Naomichi (Iwaki Meisei Univ., Fukushima, JPN)
資料名： いわき明星大学科学技術学部研究紀要  (Research Bulletin of Iwaki Meisei University, College of Science and Engineering)
号： 30  ページ： 3-10  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： L0222A  ISSN： 1880-6813  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上のCeO₂層のエピタキシャル成長の研究を反応性マグネトロンスパッタリングを用いて行い,スパッタリングガスフロー,プラズマ出力,側壁バイアス,酸素ラジカルビーム照射および2段階成長に対する成長パラメータを要約した。基板バイアス印加と電子ビーム照射による配向選択性エピタクシー法を開発し,後者は混合配向構造(HOS)をもたらす技術であった。HOS中の異なる配向をもつ領域間の完全な分離をリソグラフィー溝をもつ絶縁体基板上のケイ素を用いて達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化セリウム ,  *エピタクシー ,  マグネトロンスパッタリング ,  *結晶方位 ,  気体流 ,  プラズマ ,  側壁 ,  バイアス ,  電子ビーム ,  配向 ,  絶縁体 ,  リソグラフィー ,  *ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *Si基板 ,  酸素ラジカル ,  反応性マグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  研究 ,  概要