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J-GLOBAL ID：201702287417099764   整理番号：17A0549993

HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積SiN_x膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化

著者 (8件)： 鈴木貴之 (豊田工大) ,  土屋晃祐 (豊田工大) ,  大保崇博 (豊田工大) ,  赤澤良彦 (豊田工大) ,  下野貴史 (豊田工大) ,  松本滉太 (豊田工大) ,  江口卓也 (豊田工大) ,  岩田直高 (豊田工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-P4-13  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *塩化水素 ,  *表面処理 ,  *プラズマCVD ,  単原子層 ,  *窒化ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  *安定化 ,  保護膜 ,  前処理 ,  電流電圧特性 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  *AlGaN/GaN ,  表面安定化

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： HCl ,  表面処理 ,  プラズマ ,  励起 ,  原子層堆積 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  安定化