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J-GLOBAL ID:201702287417099764   整理番号:17A0549993

HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積SiNx膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化

著者 (8件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.16a-P4-13  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 

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