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J-GLOBAL ID：201702287580384307   整理番号：17A0406953

PLD法により蒸着した異なる界面をもつ混合相MgZnO薄膜に基づく高性能ソーラブラインド紫外光検出器【Powered by NICT】

High performance solar-blind ultraviolet photo detector based on mixed-phase MgZnO thin film with different interfaces deposited by PLD method

著者 (18件)： Han S. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Han S. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Liu S.M. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu S.M. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Lu Y.M. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Lu Y.M. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Cao P.J. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Cao P.J. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Liu W.J. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu W.J. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Zeng Y.X. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Zeng Y.X. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Jia F. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Jia F. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Liu X.K. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Liu X.K. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China) ,  Zhu D.L. (College of Materials Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China) ,  Zhu D.L. (Shenzhen Key Laboratory of Special Functional Materials, Shenzhen 518060, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 694  ページ： 168-174  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MSM構造UV検出器をパルスレーザ蒸着法により(200)立方晶MgZnO/六方晶MgZnOと(111)立方晶MgZnO/六方晶MgZnO界面を持つ混合相MgZnO薄膜上に作製した。 25Vのバイアス電圧下で,(002)立方晶MgZnO/六方晶MgZnO界面をもつ混合MgZnOをベースにした検出器の最大応答性はソーラブラインド紫外光検出器の3809%の内部利得,(111)立方晶MgZnO/六方晶MgZnO界面を持つ検出器より大きい大きさの二次であるが256nmで8A/Wに達した。混合MgZnO薄膜中の(200)立方晶と六方晶系MgZnO結晶粒の間の界面状態の高い密度はその大きな内部利得と高いソーラブラインドUV応答の主な理由である。(111)立方晶MgZnO/六方晶MgZnO界面を持つ混合相MgZnOをベースにした検出器のI_darkがはるかに少なく,またのI_light/I_darkは(111)立方晶MgZnO/六方晶MgZnO界面における高い界面障壁のため高いであり,検出器は,強い雑音背景下でより弱いソーラブラインドUV信号を効果的に検出できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  *検出器 ,  *界面 ,  表面準位 ,  MSM構造 ,  応答特性 ,  雑音 ,  利得 ,  *紫外線 ,  六方晶系 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  UV検出
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *混合相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 混合phaseMgZnO ,  Interfaces ,  ソーラーブラインド ,  UV応答

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD法 ,  蒸着 ,  界面 ,  混合相 ,  高性能 ,  紫外光 ,  検出器