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J-GLOBAL ID：201702287694480176   整理番号：17A0650876

CMOS基板におけるマイクロマシン高性能RF受動素子

Micromachined high-performance RF passives in CMOS substrate

著者 (5件)： LI Xinxin (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  NI Zao (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  GU Lei (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  WU Zhengzheng (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  YANG Chen (Shanghai Inst. of Microsystem and Information Technol., Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 26  号： 11  ページ： 113001,1-23  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFマイクロマシン技術(MEMS)コンポーネントは,優れたRF性能だけでなく,回路設計技術を組み合わせて革新的なRFフロントエンド回路を実現し,機能と性能を大幅に向上させることにも優れている。本レビューでは,相補型金属酸化物(CMOS)集積回路を用いたRF受動素子のオンチップ集積化のためのマイクロマシニング技術を集中的に調査した。開発されたMEMS RFパッシブ構造は,低抵抗率CMOS基板と金属ワイヤの抵抗の両方から損失を大幅に低下させた。以前に形成された半導体素子の影響を避けるために,比較的低温で製造することができる。さまざまな種類のポストCMOS互換MEMSプロセスの開発により,モノリシックRFシステムオンチップを形成するために,3D構造インダクタ/トランス,可変キャパシタ,チューナブル共振器,およびバンドパス/ローパスフィルタを能動集積回路に互換集積することができる。

シソーラス用語： *周波数 ,  通信 ,  *CMOS ,  *マイクロマシン ,  *回路部品 ,  MEMS ,  インダクタ ,  可変コンデンサ ,  共振器 ,  フィルタ
準シソーラス用語： 可変キャパシタ ,  *受動素子 ,  電気通信 ,  *無線周波数

分類 (4件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  伝送回路素子一般  (NC04010G) ,  LCR部品  (NA05030D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  マイクロマシン ,  高性能 ,  RF ,  受動素子