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J-GLOBAL ID:201702287995078998   整理番号:17A0446684

単層ReS_2の歪工学と光触媒への応用【Powered by NICT】

Strain engineering and photocatalytic application of single-layer ReS2
著者 (3件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 161-167  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0192B  ISSN: 0360-3199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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一軸およびせん断歪下の単層ReS_2の電子的,動力学的,および光触媒特性を理論的に調べた。単層ReS_2は歪に強い異方性応答を示した。は広範囲のx軸方向歪の動的に安定しているが,2%y軸方向圧縮歪みでは不安定となる。単層ReS_2は間接バンドギャップ半導体であると計算され,1 5%軸方向引張歪下の間接-直接バンドギャップ遷移である。単層ReS_2は水の酸化反応を触媒することができない予測した。1 5%y軸方向の引張歪は,全体的な光触媒水分解のための単層ReS_2を可能にする。に加えて,単層ReS_2も全体的な水分解を触媒し,pH=3.8の酸性水溶液下で最も効率的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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気体燃料の製造 
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