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J-GLOBAL ID：201702288368341987   整理番号：17A0496566

X9R高温安定誘電性を持つNbドープBaTiO₃-(Na_1/4Bi_3/4)Mg_1/4Ti_3/4)O₃セラミック

Nb-doped BaTiO₃-(Na_1/4Bi_3/4)(Mg_1/4Ti_3/4)O₃ ceramics with X9R high-temperature stable dielectric properties

著者 (9件)： HUANG Xuechen (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  HUANG Xuechen (Chuzhou Univ., Chuzhou, CHN) ,  ZHANG Wenqin (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  XIE Juan (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  XU Qi (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Lin (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  HAO Hua (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  LIU Hanxing (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN) ,  CAO Minghe (Wuhan Univ. Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 5  ページ： 4204-4210  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Nb₂O₅をドープした0.8BaTiO₃-0.2(Na_1/4Bi_3/4)Mg_1/4Ti_3/4)O₃(0.8BT-0.2NBMT)を固体反応法で作り,微細構造と誘電特性に与えるNb含有量の効果を調べた。0.8BT-0.2NBMTは二つの誘電ピークを有し,それはコアシェル構造によるものである。Nb₂O₅を0.8BT-0.2NBMTに入れると誘電温度安定性が改善され,室温誘電損失が小さくなり,焼結温度が下がる。Nb₂O₅2.0at%ドープの0.8BT-0.2NBMTセラミックはX9R(-55から200°C,ΔC/C_25°C≦±15%)の温度範囲を充たし,1130の誘電率,0.7%の低誘電損失,1050°Cの低焼結温度,5×10¹²Ωの絶縁比抵抗を有して積層セラミックキャパシタ実用化に有望である。不均一分布と2次相の存在が優れた誘電温度特性の理由である。

シソーラス用語： *セラミック ,  *チタン酸バリウム ,  ニオブ ,  ドーピング ,  固相反応 ,  微細構造 ,  *誘電性 ,  コアシェル構造 ,  安定性 ,  誘電損失 ,  加熱温度 ,  誘電率 ,  磁器コンデンサ ,  ニオブ酸 ,  第二相
準シソーラス用語： MLCC ,  二次相 ,  *温度安定性 ,  固体反応 ,  焼結温度

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電性 ,  Nb ,  ドープ ,  O3 ,  セラミック