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J-GLOBAL ID:201702288432954710   整理番号:17A0069724

F8BT: P3HTブレンドフィルムの自発放射の温度効果【JST・京大機械翻訳】

Temperature Dependence of Amplified Spontaneous Emission from Blend Film of F8BT and P3HT
著者 (4件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 973-978  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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高分子POLY(9)を研究した。80~320Kの温度範囲で異なるP3HT質量比の混合高分子薄膜と純F8BT薄膜のASE特性を測定した。室温では,共重合体の閾値はP3HTの比率の増加と共に最初に減少し,次に増加した。P3HTの比率が約20%のとき,閾値は約2であった。59×103W/CM2であった。温度が320Kから80Kに低下したとき,純F8BT薄膜のASE閾値は5であった。36×103W/CM2は4に減少した。15×103W/CM2,P3HTの質量比率が20%の混合膜のASE閾値パワーは2であった。84×103W/CM2は2に減少した。03×103W/CM2であった。特定のポンプパワー(5×103W/CM2)で,温度が320Kから80Kに低下したとき,ASE強度は約4倍増加した。温度の低下により,混合物薄膜のASEは赤方偏移NMに移動し,12NMに移動した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
ダイオード  ,  半導体-金属接触  ,  有機化合物のルミネセンス 

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