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J-GLOBAL ID：201702288468680574   整理番号：17A0204753

STT-MRAMメモリの研究進展【JST・京大機械翻訳】

Recent progresses in spin transfer torque-based magnetoresistive random access memory (STT-MRAM)

著者 (6件)： Zhao Weisheng (Fert Beijing Research Institute, Beihang University) ,  Wang Zhaohao (Fert Beijing Research Institute, Beihang University) ,  Peng Shouzhong (Fert Beijing Research Institute, Beihang University) ,  Wang Lezhi (Fert Beijing Research Institute, Beihang University) ,  Chang Liang (Fert Beijing Research Institute, Beihang University) ,  Zhang Youguang (Fert Beijing Research Institute, Beihang University)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107306-1-107306-21  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： スピン転移矩に基づく磁気ランダムメモリ(SPIN TRANSFER SMVSC-BASED MAGNETORESISTIVE RAM)を提案した。STT-MRAM)は不揮発性、無限消去性と高速書き込みなどのメリットがあり、次世代の低消費電力汎用メモリになることが期待される。特に近年のSTT-MRAM商用チップの成功により、このデバイスの研究と応用をさらに推進した。本論文では、まずMRAMの基本原理と発展過程について述べ、書き込み技術の発展及び磁気異方性の改善について重点的に紹介した。次に,3つの分野における最近の研究成果を要約した。(1)学術界は多くの研究を行い、製造プロセスとデバイス構造などの要素が界面垂直磁気異方性に与える影響を検討した。(2)COFEB-MGO二重界面構造は,書き込み電流を増加させずに,体の熱安定性障壁を強化することを提案した。(3)新しいスピン軌道の書き込み方式は幅広い注目を集めており、この技術は従来のスピン転移モーメントが直面する速度ボトルネックと勢塁撃穿のリスクを解決することが期待される。最後に,チップ設計分野におけるSTT-MRAMの最近の進歩を紹介した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高速度 ,  素子構造 ,  電流 ,  界面 ,  磁気 ,  熱安定性 ,  磁気異方性 ,  垂直磁気異方性 ,  非揮発性 ,  モーメント ,  生産工程 ,  *記憶装置
準シソーラス用語： 界面構造 ,  低電力化 ,  スピン転移 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： perpendicular magnetic anisotropy ,  spin transfer torque ,  spin orbit torque ,  double-interface magnetic tunnel junction ,  magnetoresistive random access memory ,  low-power ,  non-volatile

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 研究 ,  進展