非対称障壁層を持つレーザ構造中の導波路再結合の特徴

POLUBAVKINA Yu. S.; ZUBOV F. I.; ZUBOV F. I.; MOISEEV E. I.; KRYZHANOVSKAYA N. V.; KRYZHANOVSKAYA N. V.; MAXIMOV M. V.; MAXIMOV M. V.; SEMENOVA E. S.; YVIND K.; ASRYAN L. V.; ZHUKOV A. E.; ZHUKOV A. E.

文献

J-GLOBAL ID：201702288596458608 整理番号：17A0481342

非対称障壁層を持つレーザ構造中の導波路再結合の特徴

Specific Features of Waveguide Recombination in Laser Structures with Asymmetric Barrier Layers

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Semiconductors (Semiconductors)

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巻： 51 号： 2 ページ： 254-259 発行年： 2017年02月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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非対称障壁層の導入により導波路がキャリアで溢れる事態が回避されることは周知で,高出力レーザダイオードの性能制約に関する一つの処方とみなされている。しかしこの構造の結果,ここではGaInP/AlGaInAs非対称障壁層を有するGaAs/AlGaAsレーザ構造の導波路層中への高い注入レベル(最大30kA/cm²)で現れる再結合が原因となる発光強度の空間分布を近赤外走査光学顕微鏡で調べた。この種のレーザの導波路ルミネセンスは非対称障壁を持たない同種のレーザにおいて観測されるものと大体において弱いか同程度であるが,導波路内に不均一に分布し分布の最大値がp-クラッド層により近づく。その原因はGaInP障壁のp-クラッド層の傍に量子井戸を隣り合わせ構成の正孔輸送を抑える働きによるものである。

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