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J-GLOBAL ID：201702288844054350   整理番号：17A0705698

ピエゾ-フォトトロニック効果による増強された光応答を有する柔軟なp CuO/n MoS_2ヘテロ接合光検出器【Powered by NICT】

A flexible p-CuO/n-MoS₂ heterojunction photodetector with enhanced photoresponse by the piezo-phototronic effect

著者 (13件)： Zhang Ke (Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Science, National Center for Nanoscience and Technology (NCNST), Beijing 100083, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Peng Mingzeng ,  Wu Wei ,  Guo Junmeng ,  Gao Guoyun ,  Liu Yudong ,  Kou Jinzong ,  Wen Rongmei ,  Lei Ying ,  Yu Aifang ,  Zhang Yang ,  Zhai Junyi ,  Wang Zhong Lin
資料名： Materials Horizons  (Materials Horizons)
巻： 4  号： 2  ページ： 274-280  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2467A  ISSN： 2051-6355  CODEN： MHAOAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料に基づく柔軟な機能素子である可鍛,携帯可能かつ持続可能な応用に極めて適している,健康モニタリング,電子皮膚とオプトエレクトロニクス。本研究では,光電流と検出感度の増強とp CuO/n MoS_2ヘテロ接合に基づく柔軟な光検出器を開発した。単層MoS_2における非中心対称構造のために,付加歪によって誘起されたピエゾポテンシャルは,ヘテロ接合界面におけるバンド構造を調整し,ピエゾ-フォトトロニック効果に基づく空乏領域を拡大する。境界枯渇は光応答性能を向上させるために光生成キャリアの分離と輸送を改善するために用い慎重であることができる。532nmレーザで照射したとき,ヘテロ接合の光電流は無歪条件と比較して0.65%の引張歪下で27倍増強され,検出感度は3.27×10~8Jonesまで達することができた。結果として,筆者らの研究は,オプトエレクトロニクスの応用における2D材料ヘテロ構造の新しい設計と性能最適化のための新しい戦略を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 単一層 ,  機能素子 ,  オプトエレクトロニクス ,  *ヘテロ接合 ,  対称性 ,  光電流 ,  *光検出器 ,  界面 ,  光生成 ,  二次元 ,  バンド構造
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  引張歪 ,  *光応答 ,  検出能 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 増強 ,  光応答 ,  CuO ,  ヘテロ接合 ,  光検出器