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J-GLOBAL ID：201702290966137330   整理番号：17A0443934

透明導電性酸化物薄膜の原子状酸素照射耐性【Powered by NICT】

Atomic oxygen irradiation resistance of transparent conductive oxide thin films

著者 (4件)： Ouyang Qi (Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Wang Wenwen (Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Fu Qiang (Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191, PR China) ,  Dong Dongmei (Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191, PR China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 623  ページ： 31-39  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステンドープ酸化インジウム薄膜(In_2O_3:W,IWO)ともう一組のすずをドープした酸化インジウム薄膜(In_2O_3:Sn,ITO)の1つのセットは無線周波数(RF)反応性マグネトロンスパッタリング法によりガラス基板上に作製した。堆積したままのIWOおよびITO膜は10~ 4Ωcmのレベルで抵抗率値を示した。これらの膜の平均透過率は可視光領域と同様に近赤外領域で85%以上であった。全てこれらの膜は低地球軌道の環境に近い地上シミュレーションシステムにおける種々の量のフラックスの原子状酸素(AO)を照射した。表面形態,機械的性質,光学的および電気的特性を含む特性の変化はAO照射後のIWOおよびITO膜の間で比較した。透明導電性酸化物薄膜上のAO照射の影響を調べた。その結果,AOは酸化と侵食の方法でITOとIWO薄膜に影響を及ぼす。ITOとIWO膜の両方は,適切な抗AO特性を有している。IWO膜は,コンパクトな微細構造に起因するAO保護被覆,それらの化学系におけるW~4+及びW~6+イオンの共存,およびAO酸化下増加WO_3保護層として適切なものである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スズ ,  ドーピング ,  電気抵抗率 ,  透過率 ,  酸化インジウム ,  *酸化 ,  *薄膜 ,  浸食
準シソーラス用語： 保護層 ,  表面形態 ,  可視領域 ,  ガラス基板 ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  *原子状酸素 ,  *透明導電性酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： タングステン添加酸化インジウム薄膜 ,  すずドープ酸化インジウム薄膜 ,  無線周波数反応性マグネトロンスパッタリング ,  原子状酸素照射 ,  光学的および電気的性質

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 透明導電性酸化物 ,  薄膜 ,  原子状酸素 ,  耐性