MBEによる様々な配向で成長した,MnフリーGaAs/AlAsおよびMn含有Ga<sub>1-x</sub>Mn<sub>x</sub>As/AlAs量子井戸(QW)に関するフォトルミネッセンスによる比較研究

GUNES M.; ERKEN O.; GUMUS C.; YALAZ E.; PESEN E.; UKELGE M. O.; ARPAPAY B.; SERINCAN U.; DADAY M. Taykurt; GOBATO Y. Galvao; HENINI M.

文献

J-GLOBAL ID：201702291145521860 整理番号：17A0122762

MBEによる様々な配向で成長した,MnフリーGaAs/AlAsおよびMn含有Ga_1-xMn_xAs/AlAs量子井戸(QW)に関するフォトルミネッセンスによる比較研究

A comparative photoluminescence study on Mn-Free GaAs/AlAs and Mn-containing Ga_1-xMn_xAs/AlAs quantum wells (QWs) grown on various orientations by MBE

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資料名：
巻： 96 号： 1-6 ページ： 223-229 発行年： 2016年01月
JST資料番号： E0753C ISSN： 1478-6435 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

近年,スピンベースの電子デバイスを開発するために希薄磁性半導体の研究が盛んに行われている。新しい世代の電子デバイスの開発には,半導体のスピン操作が大きな課題である。本研究では,比較的高い温度(400~450°C)で様々な配向で成長した,Ga_0.999Mn_0.001As/AlAs量子井戸(QW)からのフォトルミネッセンスに関する予備的結果を提示した。450°Cで成長させたGa_1-xMn_xAs/AlAs量子井戸の光学特性に及ぼすMnの取り込みおよび成長方位の影響を調べた。温度依存性フォトルミネッセンススペクトルをフィッティングして,デバイ温度(β)および熱膨張係数(α),及び励起子-フォノン結合強度aBを初めて求めた。この計算により,VarshniおよびBose-Einsteinパラメータは,従来の狭帯域III-V半導体のパラメータに近いことが分かった。S字型の依存性は,価電子帯の上のMn関連の局在化レベルに関して説明できた。

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その他の無機化合物の磁性 , 半導体のルミネセンス

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MBEによる様々な配向で成長した,MnフリーGaAs/AlAsおよびMn含有Ga1-xMnxAs/AlAs量子井戸(QW)に関するフォトルミネッセンスによる比較研究

MBEによる様々な配向で成長した,MnフリーGaAs/AlAsおよびMn含有Ga_1-xMn_xAs/AlAs量子井戸(QW)に関するフォトルミネッセンスによる比較研究