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J-GLOBAL ID：201702291179879591   整理番号：17A0388931

接触帯電で誘起された界面反応とn型ガリウムひ酸塩ウエハの直接電気化学的ナノインプリントリソグラフィー【Powered by NICT】

Contact electrification induced interfacial reactions and direct electrochemical nanoimprint lithography in n-type gallium arsenate wafer

著者 (8件)： Zhang Jie (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Solid Surfaces (PCOSS), Collaborative Innovation Centre of Chemistry for Energy Materials (iChEM), Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China. [e-mail]) ,  Zhang Lin ,  Wang Wei ,  Han Lianhuan ,  Jia Jing-Chun ,  Tian Zhao-Wu ,  Tian Zhong-Qun ,  Zhan Dongping
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 8  号： 3  ページ： 2407-2412  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属支援化学エッチング(MacEtch)は,半導体のための多目的マイクロナノ加工法として出現してきたが,化学機構は両方の熱力学と速度論の観点からあいまいなままである。ここでは,革新的な現象を示し,すなわち,白金(Pt)およびn型ひ化ガリウム(100)ウエハ(n GaAs)間の接触帯電は界面酸化還元反応を誘導することができる。異なる仕事関数のために,Pt電極は,n-GaAsに接触した時,それらの電子Fermi準位(E_F)は等しくなるまで電子からn-GaAs Ptに移動し,Pt/n-GaAs接合における接触電場を形成する。電解質の存在下で,Pt/電解質界面の電位は接触電力のためにシフトし,Pt表面上のMnO_4~ アニオンの自発的還元を引き起こすであろう。接触帯電の平衡は乱されるので,電子はトンネル効果によるn-GaAsからPtへ移動する。n-GaAs/電解液界面で蓄積された正孔はn-GaAsは,良好なPt GaAs/electrolyte三相界面に沿って陽極溶解する。この原理に基づいて,結晶半導体に適用可能な直接電気化学的ナノインプリントリソグラフィー法を開発した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  ヒ化ガリウム ,  トンネル効果 ,  白金 ,  熱力学 ,  陽極溶解 ,  *界面 ,  電解液 ,  速度論 ,  酸化還元反応 ,  ナノメータ加工 ,  正孔 ,  電場
準シソーラス用語： *界面反応 ,  *接触帯電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 接触帯電 ,  誘起 ,  界面反応 ,  ガリウム ,  ひ酸塩 ,  ウエハ ,  直接電気化学 ,  ナノインプリントリソグラフィー