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J-GLOBAL ID：201702291238431700   整理番号：17A0216257

プロトンを注入したZnOマイクロ細線の導電率変動

Conductivity fluctuations in proton-implanted ZnO microwires

著者 (7件)： DOLGIN B (Ben Gurion Univ. the Negev, Beer Sheva, ISR) ,  LORITE I (Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Leipzig, DEU) ,  KUMAR Y (Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Leipzig, DEU) ,  ESQUINAZI P (Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Leipzig, DEU) ,  JUNG G (Ben Gurion Univ. the Negev, Beer Sheva, ISR) ,  STRAUBE B (Universidad Nacional de Tucuman, ARG) ,  DE HELUANI S Perez (Universidad Nacional de Tucuman, ARG)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 30  ページ： 305702,1-5  発行年： 2016年07月29日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,ZnOマイクロ細線の導電率の真のノイズスペクトルを調べることである。このような細線では非常に薄いナノサイズの表面層が電気特性を支配する。10nmの表面導電層をもつ2つのZnOマイクロ細線の伝導特性を室温で調べた。一つはLiをドープしたZnO細線であり,プロトンを注入後に磁気的秩序を示した。もう一つは比較のため,Liドープがないもののプロトン注入を行ったものである。後者の細線は室温で磁気的秩序を示さなかった。両細線について1/fノイズを評価した結果,スペクトル密度は1/f^a依存性を示し,Liをドープした場合aは1に近かった。一方,LiをドープしないZnO細線ではa約1.3であり,揺らぎアセンブリの活性化エネルギーの非一様分布に起因すると思われる。Liをドープしたものとドープしないものの抵抗率の比と規格化ノイズ強度の比の間に一貫性があることから,LiをドープしたZnOマイクロ細線の緩和時間はLiをドープしないものに比べ,一桁短いと結論される。規格化されたマイクロナノ細線の真正ノイズ強度は~10^-11Hz^-1であり,電界効果トランジスタに対して報告されているものよりも数桁小さい。したがって,電界効果トランジスタにおけるノイズは,外因性のコンタクトや界面の寄与が支配的であることが明らかである。

シソーラス用語： 陽子 ,  *イオン注入 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *細線 ,  *電気伝導率 ,  スペクトル ,  *電気伝導 ,  *ドーピング ,  リチウム ,  *1/f雑音 ,  緩和時間 ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： プロトン ,  マイクロ細線 ,  導電率 ,  ノイズスペクトル ,  *表面伝導 ,  1/fノイズ ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： プロトン ,  注入 ,  ZnO ,  細線 ,  導電率