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J-GLOBAL ID：201702291858352533   整理番号：17A0539838

グラフェン上のカーボンナノチューブ成長と界面特性の解析

Synthesis and interface characterization of CNTs on graphene

著者 (9件)： ZHOU Changjian (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  SENEGOR Richard (Santa Clara Univ., CA, USA) ,  BARON Zachary (Santa Clara Univ., CA, USA) ,  CHEN Yihan (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  RAJU Salahuddin (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  VYAS Anshul A (Santa Clara Univ., CA, USA) ,  CHAN Mansun (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong, CHN) ,  CHAI Yang (Hong Kong Polytechnic Univ., Hong Kong, CHN) ,  YANG Cary Y (Santa Clara Univ., CA, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 5  ページ： 054007,1-10  発行年： 2017年02月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在の集積回路のインターコネクト材料として,銅やタングステンが用いられている。しかし,将来のさらに微細化された集積回路においては,信号の伝達遅延を減らし大きな電流密度に耐えられる新材料が求められている。一方,カーボンナノチューブ(CNT)は,従来のインターコネクト材料よりもはるかに大きな電流密度を提供することができる。しかし,CNTは,他の金属材料との接触抵抗が大きいことが問題となっていた。この問題に対して,筆者らはCNTを同じ炭素素材であるグラフェン上に成長させることにより,縦方向の伝導はCNTで行い,横方向の伝導はグラフェンにより行うという方法を考案した。本論文は,グラフェン上にFe触媒またはNi触媒を用いて,化学気相成長法によりCNTを成長させて,それらの構造評価と電気的測定の結果を報告したものである。その結果,CNTとグラフェンの接続は,接触抵抗の小さい炭素-炭素結合によって,行われていると結論した。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *カーボンナノチューブ ,  LSI【IC】 ,  *電気材料 ,  化学蒸着 ,  ニッケル触媒 ,  金属触媒 ,  *導電性カーボンナノチューブ ,  *インターコネクト材
準シソーラス用語： *グラフェンシート ,  高密度集積回路 ,  化学気相成長法 ,  ニッケル系触媒

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  カーボンナノチューブ ,  成長 ,  界面特性 ,  解析