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J-GLOBAL ID：201702291988713246   整理番号：17A0656360

GaNに基づくトランジスタのホットエレクトロンエレクトロルミネセンスの機構

Mechanism of hot electron electroluminescence in GaN-based transistors

著者 (9件)： BRAZZINI Tommaso (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  SUN Huarui (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  SARTI Francesco (Universita di Firenze, Firenze, ITA) ,  POMEROY James W (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  HODGES Chris (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  GURIOLI Massimo (Universita di Firenze, Firenze, ITA) ,  VINATTIERI Anna (Universita di Firenze, Firenze, ITA) ,  UREN Michael J (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  KUBALL Martin (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 49  号： 43  ページ： 435101,1-6  発行年： 2016年11月02日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)のホットエレクトロンエレクトロルミネセンス(EL)の性質を調べ,それが制動放射に起因することを明確に示した。実際のEL放射と干渉効果を分離する重要性を初めて強調し,ELスペクトルの正確な解析と結果の解釈におけるアーチファクト回避にとってこれが極めて重要であることを示した。制動放射理論に基づいて,解析表現を導き,実測したELスペクトルに当てはめ,高エネルギー指数尾部に基づく近似モデルと比較した。簡単な指数的挙動に比べ,新しい表現から導いた電子温度は約20%低かった。材料中の欠陥による電子の散乱はELの起源であった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  ホットエレクトロン ,  *エレクトロルミネセンス ,  発光スペクトル ,  制動放射 ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  電子温度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  トランジスタ