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J-GLOBAL ID：201702292130494364   整理番号：17A0758040

誘導電力伝送応用のためのフルブリッジGaNH EMT変換器の開発【Powered by NICT】

Development of a full bridge GaN HEMT converter for inductive power transfer application

著者 (4件)： Spro Ole Christian (Department of Electrical Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Midtgrd Ole-Morten (Department of Electrical Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Undeland Tore (Department of Electrical Engineering, Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norway) ,  Guidi Giuseppe (SINTEF Energy Research, Trondheim, Norway)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 30-34  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘導電力伝送(IPT)用途に使用されるフルブリッジGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)コンバータの開発と利用の結果を提示した。IPT装置中,Si MOSFETコンバータを用いた実験結果は,以前に報告されている。Si MOSFETの代わりにGaNH EMTを用いて,変換器効率は広い範囲の運転点の上で向上できた。ゲート単離と低寄生に関する成分選択を検討した。SiとGaN変換器の間の効率比較を正確に設計されればGaN変換器は,ソフトとハードスイッチング動作点の両方でSiより優れていることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  単離 ,  *送電 ,  HEMT ,  ケイ素 ,  *変換器 ,  MOSFET
準シソーラス用語： ハードスイッチング ,  *フルブリッジコンバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘導 ,  電力伝送 ,  応用 ,  フルブリッジ ,  EMT ,  変換器 ,  開発