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J-GLOBAL ID:201702298029889946   整理番号:17A0475868

高分子太陽電池のためのD-A共重合体を構築するための電子受容体としてのチオフェン縮合ベンゾトリアゾールユニットの設計【Powered by NICT】

Design of a thiophene-fused benzotriazole unit as an electron acceptor to build D-A copolymers for polymer solar cells
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 2951-2957  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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新しい電子受容体,チオフェン縮合ベンゾトリアゾール(BTAZT)は,高分子太陽電池(PSC)の電子ドナーユニットとしてビチエニル置換ベンゾ[1,2-b:4,5-b′]ジチオフェン(BDTT)とドナー-アクセプタ共重合体を構築するために初めて設計した。類似ポリマー,類似共役骨格を含むがアクセプタとしてのベンゾトリアゾール(BTAZ)ユニットと比較して,BTAZTベース重合体は更にそれらの共役骨格のキノイド構造を安定化するためにBTAZ単位へのチオフェン部分の融合による狭い光学的バンドギャップを持つ明らかな赤方偏移吸収を示した。さらに,二種類の側鎖基,alkylcarboxyl群(PBDTT BTAZT I)またはアルキルカルボニル基(PBDTT BTAZTにおける)は,エネルギー準位を調整し,PBDTT BTAZT基高分子の溶解度を調節するために導入した。縮合チオフェンのα-位にアルコキシカルボニル基のそれに比べてalkylcarboxyl基の強い電子吸引能力はPBDTT BTAZT IIベースデバイスの開放電圧(V_oc)を高めるために,HOMOエネルギーレベルを減少させることができることが分かった。これら二種の重合体電子供与材料とフラーレン誘導体(PC_71BM)として電子受容性材料に基づく高分子太陽電池(PSC)デバイスを作製し,カソード中間層を改質するために活性層とカソードバッファ層(PDINまたはPDINO)の形態を改良するために添加物(DIOまたはNMP)を持つ素子最適化を研究した。約7%の最良のPCEは,DIO添加物とPDIN修飾カソード中間層を持つPBDTT BTAZT Iベースのデバイスで得られた。注目すべきことに,その最適短絡電流密度は14.41mA cm~ 2,PCBMアクセプタを有するBTAZベースPSCでこれまで報告された最高値の一つであるに達した。PBDTT BTAZT IIベースデバイスの最良のPCEもNMP添加物とPDINO修飾カソード中間層をもつ6.16%に達した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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太陽電池 
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