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J-GLOBAL ID：201702298516464179   整理番号：17A0741421

GaNベース発光ダイオードの輸送機構におよぼす水素の影響

Effect of Hydrogen on the Transport Mechanism of GaN-Based Light-Emitting Diodes

著者 (4件)： JUNG Eunjin (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR) ,  LEE June Key (Chonnam National Univ., Gwangju, CHN) ,  CHOI Yunju (Korea Basic Sci. Inst., Suncheon, KOR) ,  KIM Hyunsoo (Chonbuk National Univ., Jeonju, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 11  ページ： 11771-11774  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素はGaNベース半導体における主要な不純物の1つである。本研究において,GaNベース発光ダイオード(LED)の輸送機構におよぼす水素の影響を調べた。LED内の水素含有量は電気化学定電位活性化(EPA)を通じて制御した。LEDの電流電圧特性の解析から,順方向の漏れ電流は,EPA処理を行っていないLEDでは電子トンネリングによるものであるが,EPA処理を行い水素含有量が減少したLEDでは,正孔トンネリングが主要な原因であることを突き止めた。また,中間的な大きさの順方向電圧に対しては,水素含有量が減少するに従って,トンネリングから拡散機構へ変化することもわかった。観測された結果に基づいて,輸送機構と水素含有量との関係を論じた。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  水素 ,  *輸送現象 ,  処理 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  トンネル効果
準シソーラス用語： 青色発光ダイオード ,  電気化学的処理 ,  トンネリング ,  *キャリア輸送

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  発光ダイオード ,  輸送 ,  水素