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J-GLOBAL ID：201802210974141055   整理番号：18A0514981

欠損部位に及ぼすCO_2とCO水素化からのIn_2O_3触媒によるメタノール合成のDFT研究【Powered by NICT】

DFT study of In₂O₃-catalyzed methanol synthesis from CO₂ and CO hydrogenation on the defective site

著者 (4件)： Dou Maobin (Key Laboratory for Green Chemical Technology of Ministry of Education, R&D Center for Petrochemical Technology, Tianjin University, Tianjin 300072, P. R. China. [e-mail]) ,  Zhang Minhua ,  Chen Yifei ,  Yu Yingzhe
資料名： New Journal of Chemistry  (New Journal of Chemistry)
巻： 42  号： 5  ページ： 3293-3300  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0785A  ISSN： 1144-0546  CODEN： NJCHE5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_2O_3触媒の欠陥表面にCO_2水素化からのメタノール合成の機構に関する研究はその触媒性能の促進とCO_2の触媒変換において重要な役割を果たす。欠陥In_2O_3(110)表面(D表面)の空孔サイト,O_v1とO_v2から成る,CO_2とCOの水素化からのメタノール合成を密度汎関数理論法を用いて研究した。計算結果は,HCOO経路及びRWGS経路は両D表面上でのメタノール合成の反応経路が可能であることを示した。HCOO経路では,表面H原子H_2COO種を形成するためのp HCOOの反応が律速段階である,1.25eVの活性化障壁を持つ。RWGS経路では,0.99eVの障壁を持つD表面にCO_2COへの解離は,メタノール合成の律速段階である。D表面上のCOとH CO種の水素化は速度論的およびエネルギー的に有利である。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反応経路 ,  律速 ,  *触媒 ,  速度論 ,  *水素化 ,  密度汎関数法 ,  触媒活性
準シソーラス用語： 活性化障壁 ,  *メタノール合成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  コバルトとニッケルの錯体  (CE01092Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 欠損部 ,  CO ,  水素化 ,  触媒 ,  メタノール合成 ,  DFT ,  研究